IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 ֏
420 ֏
от 15 шт. —
405 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/5.7А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF520NPBF
pdf, 182 КБ
Datasheet IRF520NPBF
pdf, 173 КБ
Datasheet IRF520N
pdf, 122 КБ
С этим товаром покупают