IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 040 ֏
590 ֏
от 15 шт. —
580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.117 Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Крутизна характеристики, S | 5.3 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 927 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 922 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 2554 КБ
IRF9540 datasheet
pdf, 172 КБ
IRF9540N
pdf, 125 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 2549 КБ
Видео
С этим товаром покупают