IRFB13N50APBF, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 040 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 040 ֏

Номенклатурный номер: 9000589685

МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET

Id - непрерывный ток утечки	14 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFB
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Вес, г	3.5