IRFD024PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 2.5А [HVMDIP]
![Фото 1/4 IRFD024PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 2.5А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 ֏
415 ֏
от 25 шт. —
395 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 415 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,8А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.9 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1243 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
IRFD024 datasheet
pdf, 172 КБ
Документация
pdf, 1271 КБ
Datasheet IRFD024, SiHFD024
pdf, 1273 КБ
С этим товаром покупают
