IRFD120PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 ֏
362 ֏
от 15 шт. —
344 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 362 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,94А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/0.78А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 0.8 | |
Корпус | HVMDIP-4 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1803 КБ
IRFD120 datasheet
pdf, 176 КБ
Документация
pdf, 1832 КБ
Datasheet IRFD120, SiHFD120
pdf, 1833 КБ
С этим товаром покупают