IRFD120PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]

Фото 1/5 IRFD120PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
730 ֏
362 ֏
от 15 шт.344 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 362 ֏
Номенклатурный номер: 5978

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,94А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1803 КБ
IRFD120 datasheet
pdf, 176 КБ
Документация
pdf, 1832 КБ
Datasheet IRFD120, SiHFD120
pdf, 1833 КБ