Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si ...

IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 610 ֏

1 640 ֏

от 15 шт. — 1 610 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 640 ֏

Номенклатурный номер: 9000187972

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.04 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	300
Корпус	TO-247AC
Вес, г	7.5