IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 550 ֏
3 000 ֏
от 15 шт. —
2 940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 000 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 94 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом/0.056А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 580 | |
Крутизна характеристики, S | 39 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 186 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 179 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 172 КБ
С этим товаром покупают