IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]
![Фото 1/4 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 ֏
489 ֏
от 5 шт. —
473 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом/8.2А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 12 | |
| Корпус | TSOP-6/TSOT-23-6 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFTS8342
pdf, 214 КБ
С этим товаром покупают
Похожие товары
![2SK3567, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242348.jpg)
![AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![2SK170-BL, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
