IRL640PBF, Транзистор, N-канал 200В 17А, [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 ֏
970 ֏
от 15 шт. —
880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/10А, 5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
Крутизна характеристики, S | 16 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 895 КБ
Datasheet
pdf, 890 КБ
IRL640PBF Datasheet
pdf, 929 КБ
Документация
pdf, 1018 КБ
Datasheet IRL640
pdf, 890 КБ
С этим товаром покупают