IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [TSOP-6]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 ֏
327 ֏
от 15 шт. —
313 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 327 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03 Ом/6.5А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 13 | |
Корпус | Micro-6/SOT-23-6 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.2 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet IRLMS2002TRPBF
pdf, 161 КБ
Datasheet IRLMS2002
pdf, 153 КБ
С этим товаром покупают