IRLR3636TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 60В, 50А [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 310 ֏

1 620 ֏

от 15 шт. — 1 570 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 620 ֏

Номенклатурный номер: 9000569343

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	99
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0068 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	143
Крутизна характеристики, S	31
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4