IRLR7843TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK]
![Фото 1/5 IRLR7843TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 460 ֏
930 ֏
от 15 шт. —
910 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 161 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0033 Ом/15А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
| Крутизна характеристики, S | 37 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
С этим товаром покупают
Похожие товары
![2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC002975537.jpg)
![2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/235/DOC000235967.jpg)
![2SK2056, Транзистор, N-канал [2-10R1A / TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2141, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/238/DOC000238543.jpg)
