IXTN200N10L2, MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 9-11 недель
56 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 56 500 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.011Ом |
Power Dissipation | 830Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | LinearL2 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Module |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 178А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-227 |
Вес, г | 23.59 |
Техническая документация
Datasheet IXTN200N10L2
pdf, 161 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 16 августа1 | бесплатно |
HayPost | 20 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары