IXTP18P10T, MOSFET, P-CH, 100V, 18A, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
264 шт., срок 9-11 недель
3 200 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 25 шт. —
2 800 ֏
от 100 шт. —
2 210 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 12 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.12Ом |
Power Dissipation | 83Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchP Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 18А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 2.77 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 16 августа1 | бесплатно |
HayPost | 20 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары