Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Littelfuse › IXTT90P10P, MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268

IXTT90P10P, MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

60 шт., срок 9-11 недель

15 100 ֏

от 5 шт. — 14 200 ֏

от 10 шт. — 13 400 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 100 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8017377287

Бренд: Littelfuse

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268

Технические параметры

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.025Ом
Power Dissipation	462Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PolarP Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	90А
Полярность Транзистора	P Channel
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	462Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.025Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-268(D3PAK)
Automotive	Unknown
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Maximum Continuous Drain Current (A)	90
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	25@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	462000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	Unknown
Product Category	Power MOSFET
Supplier Package	TO-268
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	32
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	120
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	120@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	5800@25V
Typical Rise Time (ns)	77
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	54
Typical Turn-On Delay Time (ns)	25
Continuous Drain Current	90(A)
Drain-Source On-Volt	100(V)
Gate-Source Voltage (Max)	±20(V)
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	TO-268
Polarity	P
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Вес, г	5.93