KSA1142OSTU, Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 100 мА, 8 Вт, TO-126, Through Hole

Фото 1/2 KSA1142OSTU, Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 100 мА, 8 Вт, TO-126, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
316 ֏
от 5 шт.265 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 316 ֏
Номенклатурный номер: 9000934793

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 8000 mW
Вид монтажа Through Hole
Высота 11 mm
Длина 8 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 320
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 180 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.16 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 1920
Серия KSA1142
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-126-3
Ширина 3.25 mm
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 198 КБ
Datasheet KSA1142OSTU
pdf, 219 КБ