KSA1142OSTU, Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 100 мА, 8 Вт, TO-126, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
316 ֏
от 5 шт. —
265 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 316 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 8000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11 mm |
Длина | 8 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 180 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.16 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Серия | KSA1142 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-126-3 |
Ширина | 3.25 mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
Datasheet KSA1142OSTU
pdf, 219 КБ