KSC945YBU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
118 ֏
от 5 шт. —
72 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 118 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.7 mm |
Длина | 4.7 mm |
Другие названия товара № | KSC945YBU_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | KSC945 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 3.93 mm |
Вес, г | 0.179 |