KST10MTF, Транзистор

Фото 1/3 KST10MTF, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
48 ֏
от 5 шт.44 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 48 ֏
Номенклатурный номер: 9000473948

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.93 mm
Длина 2.92 mm
Другие названия товара № KST10MTF_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 650 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия KST10
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 266 КБ
Datasheet KST10MTF
pdf, 266 КБ