KST10MTF, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 ֏
от 5 шт. —
44 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 48 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.93 mm |
Длина | 2.92 mm |
Другие названия товара № | KST10MTF_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 650 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | KST10 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 266 КБ
Datasheet KST10MTF
pdf, 266 КБ