КТ8218Г1 (2013-16г), Транзистор NPN, 4А, 100В, h21e=750…15000 [КТ-89 / TO-252] (MJD112)
![КТ8218Г1 (2013-16г), Транзистор NPN, 4А, 100В, h21e=750…15000 [КТ-89 / TO-252] (MJD112)](https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366020.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
797 шт. с центрального склада, срок 12 дней
255 ֏
от 100 шт. —
232 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 255 ֏
Номенклатурный номер: 9000576789
Бренд: AO «GRUPPA KREMNIJ EL»
Технические параметры
| Структура | npn darlington | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750…15000 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 25 | |
| Корпус | кт-89(to-252) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Биполярные транзисторы в корпусе TO-252 (КТ-89)
pdf, 356 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 22 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 26 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
