Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS ...

LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 370 ֏

от 15 шт. — 2 110 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 370 ֏

Номенклатурный номер: 9000275807

Бренд: Microchip Technology

Описание

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.03
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1000 Ом/0.05А, 0В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.74
Корпус	TO-92
Вес, г	0.3