MJF15031G, Trans GP BJT PNP 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

Фото 1/4 MJF15031G, Trans GP BJT PNP 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 270 ֏
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 200 шт.1 180 ֏
Добавить в корзину 150 шт. на сумму 190 500 ֏
Номенклатурный номер: 8003310860

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 150В, 8А, 36Вт, TO220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 150
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 10000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 150
Maximum DC Collector Current (A) 8
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 30(Min)
Minimum DC Current Gain 40@100mA@2V|40@2A@2V|40@3A@2V|20@4A@2V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Rail
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-220FP
Tab Tab
Type PNP
Maximum Collector Base Voltage 150 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage -150 V
Maximum DC Collector Current -16 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 10 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 36 W
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220FP
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 191 КБ
Datasheet MJF15030G
pdf, 128 КБ