MMUN2216LT1G, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 ֏
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
от 499 шт. —
4 ֏
Добавить в корзину 400 шт.
на сумму 3 600 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Collector Current (Ic) | 100mA | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@1mA, 10mA | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@5mA, 10V | |
| Power Dissipation (Pd) | 400mW | |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased | |
| Base resistor | 4.7kΩ | |
| Case | SOT23 | |
| Collector current | 0.1A | |
| Collector-emitter voltage | 50V | |
| Kind of package | reel, tape | |
| Kind of transistor | BRT | |
| Manufacturer | ONSEMI | |
| Mounting | SMD | |
| Polarisation | bipolar | |
| Power dissipation | 0.246W | |
| Type of transistor | NPN | |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 128 КБ
onsemi MMUN2216LT1G
pdf, 408 КБ
