MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252]
![MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
202 шт. с центрального склада, срок 11 дней
268 ֏
от 10 шт. —
245 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 268 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2 Ом/1.75А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 | |
| Крутизна характеристики, S | 3 | |
| Корпус | TO-252/DPAK | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
MS5N100
pdf, 3619 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 19 июня1 | бесплатно |
| HayPost | 23 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
