SCT10N120, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 А, 1.2 кВ, 0.5 Ом, HiP247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

405 шт., срок 9-11 недель

12 700 ֏

от 5 шт. — 11 600 ֏

от 10 шт. — 10 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 700 ֏

Номенклатурный номер: 8001653693

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.5Ом
Power Dissipation	150Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Максимальная Рабочая Температура	200°C
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	12А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3.5В
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.5Ом
Стиль Корпуса Транзистора	HiP247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	4.5