SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3]
![Фото 1/2 SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
316 ֏
199 ֏
от 100 шт. —
191 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 199 ֏
Описание
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 68mohm at a gate-source voltage of 4.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.068 Ом/2.9А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 | |
| Крутизна характеристики, S | 13 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 235 КБ
Datasheet Si2300DS
pdf, 119 КБ
С этим товаром покупают
