SI4435DYTRPBF, Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 ֏
от 25 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом/8А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 11 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet SI4435DYPBF
pdf, 107 КБ
С этим товаром покупают