SIJH800E-T1-GE3, N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 100 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 380 ֏
от 25 шт. —
4 010 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 15 300 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Разные Транзисторы
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 299 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0018 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 8x8L |
| Pin Count | 4 |
| Series | N-Channel 80-V |
| Вес, г | 4.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 237 КБ
