SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 шт. с центрального склада, срок 2 недели
126 000 ֏
83 800 ֏
от 5 шт. —
81 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 83 800 ֏
Описание
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Технические параметры
Структура | полумост | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 | |
Корпус | D-93 | |
Структура | полумост | |
Наличие схем управления/защиты в составе модуля | Нет | |
Макс.напр.к-э,В | 1200 | |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 | |
Максимально допустимый импульсный ток э,А | 400 | |
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В | 2.5 | |
Температурный диапазон,С | -40…150 | |
Вес, г | 160 |
Техническая документация
Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг