SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Фото 1/2 SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 шт. с центрального склада, срок 2 недели
126 000 ֏
83 800 ֏
от 5 шт.81 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 83 800 ֏
Номенклатурный номер: 105219695

Описание

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93

Технические параметры

Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус D-93
Структура полумост
Наличие схем управления/защиты в составе модуля Нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Максимально допустимый импульсный ток э,А 400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В 2.5
Температурный диапазон,С -40…150
Вес, г 160

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 мая1 бесплатно
HayPost 22 мая1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг