SKM150GB12T4, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 232 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 9-11 недель
112 000 ֏
от 5 шт. —
105 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 112 000 ֏
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги4
Описание
Описание Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 179А, Ifsм 450А, SEмITrans2
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 8 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Half Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 232 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS2 |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 325 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3]](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC006098584.jpg)
