Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD3NM60N, Силовой МОП-транзистор, N Channel ...

STD3NM60N, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 3.3 А, 1.6 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1277 шт., срок 9-11 недель

1 260 ֏

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 10 шт. — 1 130 ֏

от 100 шт. — 860 ֏

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 11 340 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001689325

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.6Ом
Power Dissipation	50Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh II
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	3.3А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	50Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.6Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	9.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STD3NM60N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	0.41