STGB10M65DF2, IGBT, SINGLE, 650V, 20A, TO-263-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1888 шт., срок 9-11 недель

1 990 ֏

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 1 690 ֏

от 100 шт. — 1 390 ֏

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 11 940 ֏

Номенклатурный номер: 8164312774

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

115W 20A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBTs ROHS

Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	20А
Power Dissipation	115Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Collector Current (Ic)	20A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	650V
Diode Reverse Recovery Time (Trr)	96ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	-
Input Capacitance (Cies@Vce)	-
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	115W
Pulsed Collector Current (Icm)	40A
Turn?off Switching Loss (Eoff)	0.27mJ
Turn?on Switching Loss (Eon)	0.12mJ
Type	FS(Field Stop)
Вес, г	2