STGB20NC60V, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.8 В, 200 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
832 шт., срок 9-11 недель
2 900 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 510 ֏
от 100 шт. —
2 090 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 600 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 60А |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 5.44 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 464 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
