STI24N60M6, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 0.19 Ом, TO-262, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 шт., срок 9-11 недель
2 690 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
2 300 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 13 450 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MDmesh™ M6 MOSFETsSTMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETs combine a low gate charge (Q g ) with an optimized capacitance profile to target high efficiency on new topologies in power conversion applications. The super-junction MDmesh M6 series offers extremely high-efficiency performance resulting in increased power density and a low gate charge for high frequencies. The M6 series MOSFETs have a breakdown voltage ranging from 600 to 700V. They are available in a wide range of packaging options, including a TO-Leadless (TO-LL) package solution, allowing efficient thermal management. The devices include a wide range of operating voltages for industrial applications, including chargers, adapters, silver box modules, LED lighting, telecom, server, and solar.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.19Ом |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.19Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | I2PAK-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 130 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 23 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
Series: | Mdmesh M6 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
Datasheet STI24N60M6
pdf, 248 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары