TDB6HK180N16RRBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 140 А, 1.75 В, 515 Вт, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
SP005422504, TDB6HK180N16RR
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 140А |
| DC Ток Коллектора | 140А |
| Power Dissipation | 515Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Рассеиваемая Мощность | 515Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | AG-ECONO2B-411 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 478 КБ
