TP0604N3-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 430 мА, 1.5 Ом, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 820 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 12 740 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
P-канал 40V 430mA (Tj) 740mW (Ta) сквозное отверстие TO-92-3
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.5Ом |
| Power Dissipation | 740мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 430мА |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 740мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Base Product Number | TP0604 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 430mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 20V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| PCN Assembly/Origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 400 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 430 mA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 740 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Похожие товары
![2SK2837, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242335.jpg)
![2SK2850, Транзистор, N-канал [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
![2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2847, Транзистор, N-канал, DC/DC конверторы, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC000219587.jpg)
![2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304568.jpg)
