UT3N06G-AE3-R, Транзистор MOSFET N-канал 60В 3A [SOT-23-3]
![UT3N06G-AE3-R, Транзистор MOSFET N-канал 60В 3A [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 8 дней
91 ֏
55 ֏
от 5 шт. —
54 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 ֏
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90mО© @ 3A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 241 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 22 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 26 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
