Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › VN2460N3-G, Силовой МОП-транзистор ...

VN2460N3-G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 160 мА, 20 Ом, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 520 ֏

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 25 шт. — 1 260 ֏

от 100 шт. — 1 090 ֏

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 12 160 ֏

Номенклатурный номер: 8004139239

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 600V 20Ohm

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	20Ом
Power Dissipation	1Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	VN2460
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	160мА
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	20Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-92
Id - непрерывный ток утечки	160 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	10 ns
Время спада	20 ns
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Brand	Microchip Technology
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	20 ns
Height	5.33 mm
Id - Continuous Drain Current	160 mA
Length	5.21 mm
Manufacturer	Microchip
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-92-3
Packaging	Bulk
Pd - Power Dissipation	1 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	20 Ohms
Rise Time	10 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Unit Weight	0.00776 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.19 mm
Вес, г	0.22