BD135, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 12 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
311 шт. с центрального склада, срок 3 недели
245 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 50 шт. —
197 ֏
от 100 шт. —
180 ֏
от 200 шт. —
171 ֏
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 205 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 12 Вт
Технические параметры
Корпус | to-126 | |
Pd - рассеивание мощности | 12.5 W | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 10.8 mm | |
Длина | 7.8 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Размер фабричной упаковки | 2000 | |
Серия | BD135 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | SOT-32-3 | |
Ширина | 2.7 mm | |
кол-во в упаковке | 50 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Base Voltage VCBO | 45 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V, +0.5 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 1.5 A | |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 | |
DC Current Gain hFE Max | 250 | |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
Factory Pack Quantity | 2000 | |
Height | 10.8 mm | |
Length | 7.8 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | SOT-32-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 12.5 W | |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
RoHS | Details | |
Series | 500V Transistors | |
Transistor Polarity | NPN | |
Width | 2.7 mm | |
Maximum Collector Base Voltage | 45 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W | |
Minimum DC Current Gain | 100, 40 | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-32 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | NPN | |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
BD139-16
pdf, 152 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
BD135 - BD136 - BD139 - BD140
pdf, 152 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июля1 | бесплатно |
HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары