MJE15028G, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
345 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 19 шт. —
299 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 070 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.75 mm | |
| Длина | 10.53 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | MJE15028 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | ON Semiconductor | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.83 mm | |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V | |
| Maximum DC Collector Current | 8 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 30 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 50 W | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | NPN | |
| Category | Bipolar Power | |
| Collector Current (DC) | 8(A) | |
| Collector Current (DC) (Max) | 8 A | |
| Collector-Base Voltage | 120(V) | |
| Collector-Emitter Voltage | 120(V) | |
| Configuration | Single | |
| DC Current Gain | 40 | |
| DC Current Gain (Min) | 40 | |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
| Frequency | 30(MHz) | |
| Frequency (Max) | 30 MHz | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements | 1 | |
| Operating Temp Range | -65C to 150C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Output Power | Not Required(W) | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Power Dissipation | 50(W) | |
| Rad Hardened | No | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Вес, г | 3.5 |
