PMV32UP,215, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

358 шт. с центрального склада, срок 3 недели

49 ֏

Мин. кол-во для заказа 43 шт.

от 117 шт. — 40 ֏

от 234 шт. — 35 ֏

Добавить в корзину 43 шт. на сумму 2 107 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8000656860

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт

Корпус	SOT23-6
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	4 A
Maximum Drain Source Resistance	36 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage	0.95V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	415 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.45V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	15.5 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Automotive	No
Maximum Continuous Drain Current - (A)	4
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	36@4.5V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	20
Maximum Gate Source Voltage - (V)	8
Maximum Power Dissipation - (mW)	930
Military	No
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Process Technology	TMOS
Supplier Package	TO-236AB
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	15.5@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1890@10V
Вес, г	0.06