IRF9640SPBF, транзистор P канал 200В -11А D2Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 ֏
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
366 ֏
от 200 шт. —
340 ֏
от 350 шт. —
331 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 120 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 200В 11A 125Вт 0,5Ом DІPak Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Корпус | D2Pak-2 | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.1 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 500 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 3 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Width | 9.65mm | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 125W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | D2PAK | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9640SPBF
pdf, 231 КБ
IRF9640s
pdf, 173 КБ
IRF9640SPBF
pdf, 979 КБ
Документация
pdf, 230 КБ
