STD5N62K3, Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2490 шт., срок 7-9 недель
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
Добавить в корзину 210 шт.
на сумму 138 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 620 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | SuperMESH 3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 21 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 680@50V |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD5N62K3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 2 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 6 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![AF4502CSLA, Транзистор MOSFET P/N-каналы 30В (D-S) [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC000227612.jpg)
![2SK3565(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304568.jpg)
