SKM50GB12T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. с центрального склада, срок 2 недели
28 800 ֏
от 5 шт. —
25 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 28 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Модули IGBT
Описание Транзистор БТИЗ SKM50GB12T4 от компании SEMIKRON - высокопроизводительное устройство, предназначенное для эффективной работы в широком спектре электронных применений. Этот IGBT транзистор характеризуется монтажом на винтах, что обеспечивает надёжное соединение и удобство при монтаже. Коллектор транзистора способен пропускать ток до 62 А, что гарантирует его работоспособность в условиях высокой нагрузки. Корпус SEMITRANS2 обеспечивает отличное теплоотведение и механическую защиту компонентов. Используйте SKM50GB12T4 для повышения эффективности ваших электронных систем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | винтами |
| Ток коллектора, А | 62 |
| Корпус | SEMITRANS2 |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 8 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Half Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 81 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS2 |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 310 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
