IRFP22N50A, МОП транзистор (восстановленный)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
от 50 шт. —
510 ֏
от 100 шт. —
481 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой IRFP22N50APBF производства компании VISHAY – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 22 А и напряжением сток-исток в 500 В, этот транзистор способен обеспечивать мощность до 277 Вт. Его низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,23 Ом позволяет эффективно управлять высокими токами, минимизируя потери мощности. Всё это размещено в надежном корпусе TO247AC, который обеспечивает удобную интеграцию в различные электронные устройства. Приобретая IRFP22N50APBF, вы получаете качественный и долговечный компонент для вашего проекта. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 22 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 277 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.23 |
| Корпус | TO247AC |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Pd - рассеивание мощности | 277 W |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 22A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 13A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 277 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 7.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 271 КБ
Datasheet
pdf, 309 КБ
Datasheet IRFP22N50APBF
pdf, 322 КБ
IRFP22N50A datasheet
pdf, 103 КБ
Документация
pdf, 336 КБ
Datasheet IRFP22N50A, SiHFP22N50A
pdf, 336 КБ
