Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PBSS5160U,115, Биполярный транзистор, PNP ...

PBSS5160U,115, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.7 А, 0.25Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2771 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

31 ֏

Мин. кол-во для заказа 76 шт.

от 112 шт. — 24 ֏

от 224 шт. — 20 ֏

Добавить в корзину 76 шт. на сумму 2 356 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001916418

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.7 А, 0.25Вт

Технические параметры

Корпус	sot-323
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	PBSS5160U T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	700 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	185 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SC-70-3
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	PBSS5160 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	700mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 500mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	185MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power - Max	415mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-323
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	340mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-60 V
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	185 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	415 mW
Minimum DC Current Gain	200
Number of Elements per Chip	1
Package Type	UMT
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.017