MMBTA64LT1G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

17 ֏

Мин. кол-во для заказа 132 шт.

от 329 шт. — 13 ֏

от 657 шт. — 11 ֏

от 1313 шт. — 10 ֏

Добавить в корзину 132 шт. на сумму 2 244 ֏

Номенклатурный номер: 8001920777

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт

Корпус	SOT-23-3(TO-236)
Brand:	onsemi
Collector- Base Voltage VCBO:	30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	30 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min:	10000
Emitter- Base Voltage VEBO:	10 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	onsemi
Maximum Collector Cut-off Current:	0.1 uA
Maximum DC Collector Current:	0.5 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	225 mW
Product Category:	Darlington Transistors
Product Type:	Darlington Transistors
Series:	MMBTA64L
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	PNP
Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	10000hFE
DC Усиление Тока hFE	10000hFE
Power Dissipation	225мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	125МГц
Вес, г	0.05