IPB024N08N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 790 ֏
от 2 шт. —
3 280 ֏
от 5 шт. —
2 950 ֏
от 10 шт. —
2 780 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 790 ֏
Описание
Электроэлемент
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 166A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 89 S |
| Height | 4.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | IPB024N08N5 SP001227044 |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 99 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.1 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Width | 9.25 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 166 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-TO263-3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 990 КБ
