IPD135N03LGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
640 ֏
от 10 шт. —
520 ֏
от 32 шт. —
452 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 700 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 30A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; P
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Другие названия товара № | G IPD135N03L IPD135N3LGXT SP000796912 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | OptiMOS |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | OptiMOS 3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 175 ?C |
Package | 3TO-252 |
Packaging | Tape & Reel |
Rad Hard | No |
RDS-on | 13.5@10V mOhm |
Typical Fall Time | 2.2 ns |
Typical Rise Time | 3 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
Continuous Drain Current (Id) | 30A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 13.5mΩ@30A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V |
Power Dissipation (Pd) | 31W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
Type | 1PCSNChannel |
Вес, г | 0.479 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1378 КБ