STN4NF03L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
67 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
730 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
468 ֏
от 10 шт. —
383 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 460 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STN4NF03L от производителя STMicroelectronics является высококачественным полупроводниковым компонентом, предназначенным для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном корпусе SOT223, предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает максимальным током стока 4 А. Это делает его идеальным для различных силовых применений. Напряжение сток-исток достигает 30 В, а мощность рассеивания составляет 2,5 Вт, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Использование STN4NF03L позволит значительно улучшить производительность вашего оборудования благодаря высокому уровню интеграции и эффективности. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 4 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 2.5 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6 S |
| Height | 1.8 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3.3 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
| Rise Time | 100 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Unit Weight | 0.004395 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Width | 3.5 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.3 W |
| Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 100 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Высота | 1.8 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | STN4NF03L |
| Средства разработки | STEVAL-ISA147V3 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.5 mm |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Power Dissipation | 3.3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Automotive | No |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | STripFET II |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 330@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet STN4NF03L
pdf, 228 КБ
Datasheet STN4NF03L
pdf, 214 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 3 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
