STW26NM50
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
10 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 600 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Категория продукта
Описание Транзистор полевой STW26NM50 от STMicroelectronics представляет собой надежный компонент для эффективного управления электронными цепями. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET обладает высокой мощностью в 313 Вт, что позволяет ему справляться с нагрузками до 18,9 А. Напряжение сток-исток достигает 500 В, в то время как сопротивление в открытом состоянии остается низким, всего 0,1 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус TO247 гарантирует прочность и долговечность использования. Приобретая STW26NM50, вы выбираете качественный компонент для своих электронных проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 18.9 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 313 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.1 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 313W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 13A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 313 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Series: | STW26NM50 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 9.02 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июня1 | бесплатно |
| HayPost | 6 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
